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2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

僅供參考

型號 2SK3670,F(M
PNEDA編號 2SK3670-F-M_9B
描述 MOSFET N-CH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3670資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3670,F(M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SK3670, 2SK3670數據表 (總頁數: 3, 大小: 146.62 KB)
PDF2SK3670數據表 封面
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2SK3670規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92MOD
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

555pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 43µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

76W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1091pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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