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2SK3703-1E

2SK3703-1E

僅供參考

型號 2SK3703-1E
PNEDA編號 2SK3703-1E
描述 MOSFET N-CH 60V 30A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3703-1E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3703-1E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SK3703-1E, 2SK3703-1E數據表 (總頁數: 7, 大小: 254.96 KB)
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2SK3703-1E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1780pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F-3SG
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

639pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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-

功耗(最大值)

1W (Ta)

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