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2SK4017(Q)

2SK4017(Q)

僅供參考

型號 2SK4017(Q)
PNEDA編號 2SK4017-Q
描述 MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK4017(Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK4017(Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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2SK4017(Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds730pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PW-MOLD2
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2962pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

312nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

306pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.7W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

61.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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