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2SK880-Y(TE85L,F)

2SK880-Y(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SK880-Y(TE85L,F)
PNEDA編號 2SK880-Y-TE85L-F
描述 JFET N-CH 50V 0.1W USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價
1 ---------- $0.3053
500 ---------- $0.2910
1,000 ---------- $0.2767
2,500 ---------- $0.2624
5,000 ---------- $0.2504
10,000 ---------- $0.2385
庫存 5,933
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK880-Y(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK880-Y(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2SK880-Y(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)50V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.2mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1.5V @ 100nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

24mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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40mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

400mW

工作溫度

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5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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