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301UR100 G BK G

301UR100      G BK G

僅供參考

型號 301UR100 G BK G
PNEDA編號 301UR100-G-BK-G
描述 DIODE GEN PURP 1KV 300A DO205
制造商 Vishay Semiconductor Opto Division
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

301UR100 G BK G資源

品牌 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號301UR100 G BK G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
301UR100 G BK G, 301UR100 G BK G數據表 (總頁數: 8, 大小: 93.38 KB)
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301UR100 G BK G規格

制造商Vishay Semiconductor Opto Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.22V @ 942A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr15mA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-205AB, DO-9, Stud
供應商設備包裝DO-205AB, DO-9
工作溫度-結點-40°C ~ 180°C

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550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

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