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3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

僅供參考

型號 3LN01S-TL-E
PNEDA編號 3LN01S-TL-E
描述 MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

3LN01S-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號3LN01S-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
3LN01S-TL-E, 3LN01S-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 256.8 KB)
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3LN01S-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)150mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.58nC @ 10V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SMCP
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1685pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

526pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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