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4N29SD

4N29SD

僅供參考

型號 4N29SD
PNEDA編號 4N29SD
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N29SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N29SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N29SD, 4N29SD數據表 (總頁數: 7, 大小: 156.99 KB)
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4N29SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 40µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

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開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-隔離

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

5µs, 7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

600% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

7500% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

60µs, 53µs

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

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