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4N29SM

4N29SM

僅供參考

型號 4N29SM
PNEDA編號 4N29SM
描述 OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N29SM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N29SM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N29SM, 4N29SM數據表 (總頁數: 14, 大小: 399.52 KB)
PDF4N29TVM數據表 封面
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4N29SM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 40µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.7V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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1.7V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

10% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

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260% @ 5mA

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-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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