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4N30

4N30

僅供參考

型號 4N30
PNEDA編號 4N30_6B
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $1,954.8611
50 ---------- $1,863.2269
100 ---------- $1,771.5928
200 ---------- $1,679.9587
400 ---------- $1,603.5970
500 ---------- $1,527.2352
庫存 120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 1 - 三月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N30資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N30
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N30, 4N30數據表 (總頁數: 7, 大小: 156.99 KB)
PDF4N33W數據表 封面
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4N30規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 40µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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電流傳輸比(最小值)

300% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.35V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

2500Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

7.5µs, 5.7µs

上升/下降時間(典型值)

3.2µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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頻道數

1

電壓-隔離

2500Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

4µs, 4µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.07V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 100°C

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Surface Mount

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