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4N33W

4N33W

僅供參考

型號 4N33W
PNEDA編號 4N33W
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N33W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N33W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N33W, 4N33W數據表 (總頁數: 7, 大小: 156.99 KB)
PDF4N33W數據表 封面
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4N33W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)500% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 100µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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電流傳輸比(最大值)

50% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

200ns, 600ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

7V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

40mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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頻道數

1

電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

65% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

133% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

1µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

11µs, 7µs

上升/下降時間(典型值)

7µs, 6.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

32V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

6-DIP (0.400", 10.16mm)

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

500% @ 1.6mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

600ns, 1.5µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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