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4N35-000E

4N35-000E

僅供參考

型號 4N35-000E
PNEDA編號 4N35-000E
描述 OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 Broadcom
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N35-000E資源

品牌 Broadcom
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N35-000E
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N35-000E, 4N35-000E數據表 (總頁數: 7, 大小: 216.01 KB)
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4N35-000E規格

制造商Broadcom Limited
系列-
頻道數1
電壓-隔離3550Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)3µs, 3µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道100mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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開啟/關閉時間(典型值)

5ms, 250µs (Max)

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Photovoltaic

電壓-輸出(最大值)

8V

電流-輸出/通道

1µA

電壓-正向(Vf)(典型值)

-

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

20µs, 30µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

250mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SMD

制造商

CEL

系列

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頻道數

2

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

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Surface Mount

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

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