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4N35-300E

4N35-300E

僅供參考

型號 4N35-300E
PNEDA編號 4N35-300E
描述 OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 Broadcom
單價 請求報價
庫存 98,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N35-300E資源

品牌 Broadcom
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N35-300E
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N35-300E, 4N35-300E數據表 (總頁數: 7, 大小: 216.01 KB)
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4N35-300E規格

制造商Broadcom Limited
系列-
頻道數1
電壓-隔離3550Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)3µs, 3µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道100mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

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3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

300% @ 1.6mA

電流傳輸比(最大值)

2600% @ 1.6mA

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 10µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

7V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

12mA

Vce飽和度(最大值)

100mV

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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頻道數

1

電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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