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4N36SR2M

4N36SR2M

僅供參考

型號 4N36SR2M
PNEDA編號 4N36SR2M
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N36SR2M資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N36SR2M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N36SR2M, 4N36SR2M數據表 (總頁數: 13, 大小: 398.34 KB)
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4N36SR2M規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)40% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

600% @ 500µA

電流傳輸比(最大值)

8000% @ 500µA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 34µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

5mA

Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

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開啟/關閉時間(典型值)

3.7µs, 8.5µs

上升/下降時間(典型值)

25µs, 0.3µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

-

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

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400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 7µs

上升/下降時間(典型值)

5µs, 7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

130% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

260% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

4µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.45V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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上升/下降時間(典型值)

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