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4N383SD

4N383SD

僅供參考

型號 4N383SD
PNEDA編號 4N383SD
描述 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

4N383SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號4N383SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
4N383SD, 4N383SD數據表 (總頁數: 8, 大小: 376.2 KB)
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4N383SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)20% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 5µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)80V
電流-輸出/通道100mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.15V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

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開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.35V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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200% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Gull Wing

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制造商

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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安裝類型

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5300Vrms

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108% @ 10mA

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開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

1µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

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電壓-正向(Vf)(典型值)

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