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5LP01M-TL-E

5LP01M-TL-E

僅供參考

型號 5LP01M-TL-E
PNEDA編號 5LP01M-TL-E
描述 MOSFET P-CH 50V .07A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

5LP01M-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號5LP01M-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
5LP01M-TL-E, 5LP01M-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 259.08 KB)
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5LP01M-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23Ohm @ 40mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 10V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.4pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-MCP
包裝/箱SC-70, SOT-323

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

155pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 2.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

Sanken

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2420pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7600pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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