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6116LA20TDB

6116LA20TDB

僅供參考

型號 6116LA20TDB
PNEDA編號 6116LA20TDB
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6116LA20TDB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6116LA20TDB
類別半導體內存IC內存

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6116LA20TDB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-CDIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝24-CDIP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

2µs

電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-WFBGA

供應商設備包裝

168-WFBGA (12x12)

CY7C1062AV33-10BGC

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Cypress Semiconductor Corp

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-

內存類型

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內存格式

SRAM

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內存大小

16Mb (512K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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