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6116LA25TDB

6116LA25TDB

僅供參考

型號 6116LA25TDB
PNEDA編號 6116LA25TDB
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6116LA25TDB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6116LA25TDB
類別半導體內存IC內存

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6116LA25TDB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-CDIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝24-CDIP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

17ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

-

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

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