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64-4092PBF

64-4092PBF

僅供參考

型號 64-4092PBF
PNEDA編號 64-4092PBF
描述 MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

64-4092PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號64-4092PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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64-4092PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds880pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1970pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

295pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-251-3

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PQFN (5x6)

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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