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64017H

64017H

僅供參考

型號 64017H
PNEDA編號 64017H
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

64017H資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號64017H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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64017H規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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增益

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功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

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Surface Mount

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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Renesas Electronics America Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11dB ~ 16.5dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

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