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66112

66112

僅供參考

型號 66112
PNEDA編號 66112
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

66112資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號66112
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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66112規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2.8V

頻率-過渡

43GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

增益

-

功率-最大

136mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

13.5dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

SOT-343F

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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