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6A8-T

6A8-T

僅供參考

型號 6A8-T
PNEDA編號 6A8-T
描述 DIODE GEN PURP 800V 6A R6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 38,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6A8-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6A8-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
6A8-T, 6A8-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 593.71 KB)
PDF6A10-T數據表 封面
6A10-T數據表 頁面 2 6A10-T數據表 頁面 3

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6A8-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱R6, Axial
供應商設備包裝R-6
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

75A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 75A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 1700V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

SS23LHRTG

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

MicroSMP

供應商設備包裝

MicroSMP

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

GI756-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

P600, Axial

供應商設備包裝

P600

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

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系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

535mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

270pF @ 1V, 1MHz

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