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6N139M

6N139M

僅供參考

型號 6N139M
PNEDA編號 6N139M
描述 OPTOISO 5KV DARL W/BASE 8DIP
制造商 Lite-On Inc.
單價 請求報價
庫存 54,531
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6N139M資源

品牌 Lite-On Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6N139M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
6N139M, 6N139M數據表 (總頁數: 15, 大小: 655.49 KB)
PDF6N138M數據表 封面
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6N139M規格

制造商Lite-On Inc.
系列-
頻道數1
電壓-隔離5000Vrms
電流傳輸比(最小值)500% @ 1.6mA
電流傳輸比(最大值)2600% @ 1.6mA
開啟/關閉時間(典型值)100ns, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)18V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.1V
電流-直流正向(If)(最大值)20mA
Vce飽和度(最大值)-
工作溫度-20°C ~ 85°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝8-DIP

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-

開啟/關閉時間(典型值)

25µs, 25µs (Max)

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

MOSFET

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

1000% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

7µs, 20µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

1mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

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安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SMD, Gull Wing

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頻道數

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電壓-隔離

2500Vrms

電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 100µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

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電壓-輸出(最大值)

100V

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