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6N139SD

6N139SD

僅供參考

型號 6N139SD
PNEDA編號 6N139SD
描述 OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6N139SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6N139SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
6N139SD, 6N139SD數據表 (總頁數: 17, 大小: 593.58 KB)
PDF6N139SD數據表 封面
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6N139SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離2500Vrms
電流傳輸比(最小值)500% @ 1.6mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)1.5µs, 7µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)18V
電流-輸出/通道60mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.3V
電流-直流正向(If)(最大值)20mA
Vce飽和度(最大值)-
工作溫度-40°C ~ 85°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝8-SMD

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電流傳輸比(最小值)

19% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

60% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

500ns, 800ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.59V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-隔離

1000VDC

電流傳輸比(最小值)

50% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.6V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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電流傳輸比(最小值)

160% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

320% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1

電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

160% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

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