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6PS18012E4FG38393NWSA1

6PS18012E4FG38393NWSA1

僅供參考

型號 6PS18012E4FG38393NWSA1
PNEDA編號 6PS18012E4FG38393NWSA1
描述 MODULE IGBT STACK A-PSF-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6PS18012E4FG38393NWSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6PS18012E4FG38393NWSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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6PS18012E4FG38393NWSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

26nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

IRG5K100HF12B

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

11.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

POWIR® 62 Module

供應商設備包裝

POWIR® 62

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E2

供應商設備包裝

E2

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Level Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.62nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

APTGF90TDU60PG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Triple, Dual - Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

416W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 90A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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