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7006S55JI8

7006S55JI8

僅供參考

型號 7006S55JI8
PNEDA編號 7006S55JI8
描述 IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7006S55JI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7006S55JI8
類別半導體內存IC內存

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7006S55JI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱68-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝68-PLCC (24.21x24.21)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

75ns

訪問時間

75ns

電壓-供電

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工作溫度

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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