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7008L25G

7008L25G

僅供參考

型號 7008L25G
PNEDA編號 7008L25G
描述 IC SRAM 512K PARALLEL 84PGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7008L25G資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7008L25G
類別半導體內存IC內存

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7008L25G規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小512Kb (64K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱84-BPGA
供應商設備包裝84-PGA (27.94x27.94)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

120ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Socket

包裝/箱

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供應商設備包裝

72-SIMM

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-92-3

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

1.152Mb (32K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

144-LQFP

供應商設備包裝

144-TQFP (20x20)

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