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7025S35GB

7025S35GB

僅供參考

型號 7025S35GB
PNEDA編號 7025S35GB
描述 IC SRAM 128K PARALLEL 84PGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價
1 ---------- $7,260.0443
50 ---------- $6,919.7297
100 ---------- $6,579.4151
200 ---------- $6,239.1006
400 ---------- $5,955.5051
500 ---------- $5,671.9096
庫存 11
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7025S35GB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7025S35GB
類別半導體內存IC內存

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7025S35GB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小128Kb (8K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱84-BPGA
供應商設備包裝84-PGA (27.94x27.94)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.35V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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制造商

AKM Semiconductor Inc.

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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