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7026S35J8

7026S35J8

僅供參考

型號 7026S35J8
PNEDA編號 7026S35J8
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7026S35J8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7026S35J8
類別半導體內存IC內存

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7026S35J8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小256Kb (16K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝84-PLCC (29.21x29.21)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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時鐘頻率

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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工作溫度

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