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70P249L65BYGI

70P249L65BYGI

僅供參考

型號 70P249L65BYGI
PNEDA編號 70P249L65BYGI
描述 IC SRAM 64K PARALLEL 100CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70P249L65BYGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70P249L65BYGI
類別半導體內存IC內存

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70P249L65BYGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小64Kb (4K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁65ns
訪問時間65ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-TFBGA
供應商設備包裝100-CABGA (6x6)

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電壓-供電

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安裝類型

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

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