70P3519S200BCG
僅供參考
| 型號 | 70P3519S200BCG |
| PNEDA編號 | 70P3519S200BCG |
| 描述 | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,282 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸) |
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70P3519S200BCG資源
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70P3519S200BCG規格
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | SRAM |
| 技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 內存大小 | 9Mb (256K x 36) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 200MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | 3.4ns |
| 電壓-供電 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 256-LBGA |
| 供應商設備包裝 | 256-CABGA (17x17) |
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