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70T3319S133BFI

70T3319S133BFI

僅供參考

型號 70T3319S133BFI
PNEDA編號 70T3319S133BFI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 8 - 二月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3319S133BFI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3319S133BFI
類別半導體內存IC內存

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70T3319S133BFI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

90ns

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安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

-

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-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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48-TSOP I

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