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70T3519S133BCI8

70T3519S133BCI8

僅供參考

型號 70T3519S133BCI8
PNEDA編號 70T3519S133BCI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3519S133BCI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3519S133BCI8
類別半導體內存IC內存

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70T3519S133BCI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存接口

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時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4Mb (128K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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