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70T3519S133BF

70T3519S133BF

僅供參考

型號 70T3519S133BF
PNEDA編號 70T3519S133BF
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3519S133BF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3519S133BF
類別半導體內存IC內存

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70T3519S133BF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

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電壓-供電

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