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70T3519S133BF8

70T3519S133BF8

僅供參考

型號 70T3519S133BF8
PNEDA編號 70T3519S133BF8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3519S133BF8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3519S133BF8
類別半導體內存IC內存

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70T3519S133BF8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存接口

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時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

250kHz

寫周期-字,頁

15ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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8-DIP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

100µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

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