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70T3519S133DRI

70T3519S133DRI

僅供參考

型號 70T3519S133DRI
PNEDA編號 70T3519S133DRI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3519S133DRI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3519S133DRI
類別半導體內存IC內存

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70T3519S133DRI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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