70T3519S200BC
僅供參考
型號 | 70T3519S200BC |
PNEDA編號 | 70T3519S200BC |
描述 | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 4,842 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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70T3519S200BC資源
品牌 | IDT, Integrated Device Technology |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | 70T3519S200BC |
類別 | 半導體 › 內存IC › 內存 |
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70T3519S200BC規格
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
系列 | - |
內存類型 | Volatile |
內存格式 | SRAM |
技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
內存大小 | 9Mb (256K x 36) |
內存接口 | Parallel |
時鐘頻率 | 200MHz |
寫周期-字,頁 | - |
訪問時間 | 3.4ns |
電壓-供電 | 2.4V ~ 2.6V |
工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 256-LBGA |
供應商設備包裝 | 256-CABGA (17x17) |
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