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70T3589S133DR8

70T3589S133DR8

僅供參考

型號 70T3589S133DR8
PNEDA編號 70T3589S133DR8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3589S133DR8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3589S133DR8
類別半導體內存IC內存

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70T3589S133DR8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存格式

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SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

AT21CS11-STU10-T

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C, Single Wire

時鐘頻率

125kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 4.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

W9725G6KB-18

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制造商

Winbond Electronics

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

350ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

84-WBGA (8x12.5)

MR0A08BMA35R

Everspin Technologies Inc.

制造商

Everspin Technologies Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

RAM

技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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