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70T633S10BC

70T633S10BC

僅供參考

型號 70T633S10BC
PNEDA編號 70T633S10BC
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T633S10BC資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T633S10BC
類別半導體內存IC內存

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70T633S10BC規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

55µs, 6ms

訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

-

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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訪問時間

2.6ns

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