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70T633S12BCI

70T633S12BCI

僅供參考

型號 70T633S12BCI
PNEDA編號 70T633S12BCI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T633S12BCI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T633S12BCI
類別半導體內存IC內存

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70T633S12BCI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-TSOP

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

3.5µs

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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8-SOIC

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256b (16 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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