70T651S12BFGI
僅供參考
| 型號 | 70T651S12BFGI |
| PNEDA編號 | 70T651S12BFGI |
| 描述 | IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,100 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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70T651S12BFGI資源
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | 70T651S12BFGI |
| 類別 | 半導體 › 內存IC › 內存 |
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70T651S12BFGI規格
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | SRAM |
| 技術 | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| 內存大小 | 9Mb (256K x 36) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | - |
| 寫周期-字，頁 | 12ns |
| 訪問時間 | 12ns |
| 電壓-供電 | 2.4V ~ 2.6V |
| 工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 208-LFBGA |
| 供應商設備包裝 | 208-CABGA (15x15) |
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