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70V261S35PF

70V261S35PF

僅供參考

型號 70V261S35PF
PNEDA編號 70V261S35PF
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V261S35PF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V261S35PF
類別半導體內存IC內存

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70V261S35PF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小256Kb (16K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (64K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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工作溫度

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

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