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70V3569S5BFI8

70V3569S5BFI8

僅供參考

型號 70V3569S5BFI8
PNEDA編號 70V3569S5BFI8
描述 IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 15 - 十一月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3569S5BFI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3569S5BFI8
類別半導體內存IC內存

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70V3569S5BFI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小576Kb (16K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

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-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

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