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70V3569S6BC8

70V3569S6BC8

僅供參考

型號 70V3569S6BC8
PNEDA編號 70V3569S6BC8
描述 IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3569S6BC8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3569S6BC8
類別半導體內存IC內存

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70V3569S6BC8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小576Kb (16K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

3.4MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

576Kb (16K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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