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70V3579S6BC

70V3579S6BC

僅供參考

型號 70V3579S6BC
PNEDA編號 70V3579S6BC
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 8 - 二月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3579S6BC資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3579S6BC
類別半導體內存IC內存

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70V3579S6BC規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小1.125Mb (32K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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55ns

訪問時間

55ns

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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