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70V658S10DRG

70V658S10DRG

僅供參考

型號 70V658S10DRG
PNEDA編號 70V658S10DRG
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V658S10DRG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V658S10DRG
類別半導體內存IC內存

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70V658S10DRG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

17ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

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