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70V658S12BFI

70V658S12BFI

僅供參考

型號 70V658S12BFI
PNEDA編號 70V658S12BFI
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 15 - 二月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V658S12BFI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V658S12BFI
類別半導體內存IC內存

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70V658S12BFI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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