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71256S35DB

71256S35DB

僅供參考

型號 71256S35DB
PNEDA編號 71256S35DB
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價
1 ---------- $373.0455
50 ---------- $355.5590
100 ---------- $338.0725
200 ---------- $320.5860
400 ---------- $306.0139
500 ---------- $291.4418
庫存 266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71256S35DB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71256S35DB
類別半導體內存IC內存

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71256S35DB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-CDIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝28-CerDip

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (2K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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內存格式

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內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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