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7130LA20JG

7130LA20JG

僅供參考

型號 7130LA20JG
PNEDA編號 7130LA20JG
描述 IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7130LA20JG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7130LA20JG
類別半導體內存IC內存

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7130LA20JG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝52-PLCC (19.13x19.13)

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內存接口

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訪問時間

110ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

56-TSOP

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Renesas Electronics America

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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96-FBGA (9x14)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

32Gb (512M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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