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7133LA35J

7133LA35J

僅供參考

型號 7133LA35J
PNEDA編號 7133LA35J
描述 IC SRAM 32K PARALLEL 68PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7133LA35J資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7133LA35J
類別半導體內存IC內存

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7133LA35J規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小32Kb (2K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱68-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝68-PLCC (24.21x24.21)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

40-VSOP

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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