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7164S25YG8

7164S25YG8

僅供參考

型號 7164S25YG8
PNEDA編號 7164S25YG8
描述 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7164S25YG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7164S25YG8
類別半導體內存IC內存

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7164S25YG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

4ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

95ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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